Hindistan, Çok Yüksek Gerilimli YGDA Şebekeleri İçin Yerli Silisyum Karbür (SiC) Güç Modülü Girişimini Başlattı

Hindistan Enerji Bakanlığı ile Elektronik ve Bilişim Bakanlığı (MeitY), yenilenebilir enerji koridorlarında kullanılan VSC-YGDA konvertör istasyonlarının dış...

Hindistan, Çok Yüksek Gerilimli YGDA Şebekeleri İçin Yerli Silisyum Karbür (SiC) Güç Modülü Girişimini Başlattı

Hindistan Enerji Bakanlığı ile Elektronik ve Bilişim Bakanlığı (MeitY), yenilenebilir enerji koridorlarında kullanılan VSC-YGDA konvertör istasyonlarının dışa bağımlılığını sonlandırmak üzere 3,3 kV - 6,5 kV yerli Silisyum Karbür (SiC) güç modülü üretim programını başlattı.

Küresel Konvertör Valfi Tedarik Darboğazının Aşılması

Power Grid Corporation of India (PGCIL) tarafından inşa edilen 800 kV Barmer-Maharashtra gibi dev iletim koridorlarında konvertör valfi teslim sürelerinin 36 ayı aşması üzerine yerli üretime öncelik verildi.

Yeni SiC MOSFET modülleri, klasik silisyum IGBT elemanlarına göre %70 daha düşük anahtarlama kaybı sunmakta ve 175°C eklem sıcaklığında çalışarak konvertör istasyonu soğutma ve bina hacmini yarı yarıya düşürmektedir.

Ağır YGDA Konvertör Transformatörleriyle Tam Uyumluluk

Konsorsiyum, BHEL ve önde gelen teknik enstitülerin ortaklığıyla ±500 kV ve ±800 kV konvertör transformatörleriyle uyumlu yüksek hızlı kapı sürücülerini (gate driver) ve geçici aşırı gerilim koruma standartlarını belirleyecektir.

400 kV STATCOM sahasındaki ilk pilot denemelerin 2027 sonunda gerçekleştirilmesi planlanmaktadır.