India lanza iniciativa nacional de módulos de carburo de silicio (SiC) para transmisión en alta tensión VSC-HVDC

Para superar la dependencia en válvulas semiconductoras importadas, el Ministerio de Energía y MeitY de la India impulsan el desarrollo local de módulos MOSF...

India lanza iniciativa nacional de módulos de carburo de silicio (SiC) para transmisión en alta tensión VSC-HVDC

Para superar la dependencia en válvulas semiconductoras importadas, el Ministerio de Energía y MeitY de la India impulsan el desarrollo local de módulos MOSFET de SiC de 3,3 kV a 6,5 kV para subestaciones conversoras HVDC.

Solución ante los cuellos de botella en la cadena de suministro

Con plazos de entrega que rebasan los 36 meses a nivel mundial, el país busca asegurar corredores como el enlace de 800 kV Barmer-Maharashtra.

Los módulos de carburo de silicio reducen un 70 % las pérdidas por conmutación y operan hasta 175 °C, disminuyendo los sistemas de refrigeración.

Interoperabilidad con transformadores conversores de potencia

Junto a BHEL, se estandarizan las etapas de disparo y protección contra sobretensiones para unidades de ±500 kV y ±800 kV.

Las pruebas piloto en un compensador STATCOM de 400 kV se proyectan para finales de 2027.