Indien startet nationale Initiative für Siliziumkarbid-Leistungsmodule (SiC) in der HGÜ-Übertragung
Indiens Energieministerium und das IT-Ministerium (MeitY) haben ein strategisches Konsortium gegründet, um 3,3-kV- bis 6,5-kV-SiC-MOSFET-Module für VSC-HGÜ-U...
Indien startet nationale Initiative für Siliziumkarbid-Leistungsmodule (SiC) in der HGÜ-Übertragung
Indiens Energieministerium und das IT-Ministerium (MeitY) haben ein strategisches Konsortium gegründet, um 3,3-kV- bis 6,5-kV-SiC-MOSFET-Module für VSC-HGÜ-Umrichterstationen im eigenen Land zu fertigen.
- Veröffentlichungsdatum: 2026-09-26
- Kategorie: Normen & Regulierung
- Originalquelle: Ministry of Power & MeitY, Government of India
- Lesezeit: 5 min
Unabhängigkeit bei Stromrichterventilen
Angesichts weltweiter Lieferfristen von über drei Jahren für HGÜ-Ventile sollen Großprojekte wie die 800-kV-Trasse Barmer–Maharashtra durch heimische Fertigung abgesichert werden.
SiC-Halbleiter senken die Schaltverluste um 70 %, vertragen Sperrschichttemperaturen bis 175 °C und reduzieren den Platzbedarf der Umrichterhallen erheblich.
Integration mit HGÜ-Stromrichtertransformatoren
Zusammen mit BHEL werden Gate-Treiber-Schnittstellen für ±500-kV- und ±800-kV-Transformatoren normiert.
Ein erster Feldtest an einem 400-kV-STATCOM ist für Ende 2027 angesetzt.
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